阜阳生活污水处理设备
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高浓度电镀集控区电镀废水化学沉淀法工艺流程如图1所示，其中含铬废水在酸性条件下进行六价铬快速还原为三价铬，随后投加化学沉多段A/O 生化池，终实现达标排放，满足《电镀污染物排放标准》(21900-2008)中的所有指标要求。
运营实践分析
以上述含铬废水为分析对象，在处理电镀废水六价铬时，其工艺具体有以下要求：
(1)将 30% 盐酸溶液、32% 氢氧化钠溶液和 20%亚硫酸氢钠溶液分别置于相应的储存槽，投加还原剂亚硫酸氢钠进行还原反应，废水流量为 35m3/h，然后对其进行均匀性的搅拌进行充分反应10min，充分完全还原六价铬离子 ;
(2)在一级沉淀器先后投加 32% 氢氧化钠药剂、15% 聚合氯化铝与 0.25%聚丙烯酰胺溶液进行三级搅拌充分反应20min，通过斜板沉淀装置进行沉淀;
(3)在二级沉淀器先后投加聚合 氯化铝、聚丙烯酰胺溶液进行精细化控制沉淀反应，经三级搅拌，通过斜板沉淀装置进行沉淀。
通过电镀集控区污水处理厂的实际运营情况分析，化学沉淀法针对电镀废水中大多数有毒有害物质包括铜、镍、锌、铬等重金属指标及总磷都具有较高的处理效果。
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随着化学沉淀法的深入研究与分析，对电镀集控区内复杂电镀废水进行精细化处理，电镀废水处理中各类污染物质指标处理效果更易满足相关标准要求。
标准作为行业发展的一个重要步骤，起着肯定已有成果、引导行业发展方向的重要作用，具有很强的指导性。因此相关标准的制定对促进膜产业科学化、规范化管理，引导膜产业朝着健康有序的方向发展，推动膜技术广泛应用起到了重要的技术支撑作用。
膜产品技术指标
膜产品的相关性能指标繁多，主要有分离透过性能、物理性能和化学性能三大类，其中分离透过性能包括:产水量、水通量、纯水透过率、截留分子质量(切割分子质量)、截留率、脱盐率、回收率、大孔径、平均孔径、孔径分布、孔隙率、气密性及完整性等;膜物理性能有:结构性能(外观、膜面积、膜厚、膜丝内外径)、机械性能(拉伸强度、爆破强度、弯曲强度、柔润指数、断裂伸长率)、电性能(荷电性、Zeta电位)、亲水性(接触角)及耐热性(高操作温度)等;膜化学性能有:化学稳定性(化学相容性)、耐氧化性(短时余氯耐受限度、过氧化氢耐受限度)、耐酸碱性(运行及清洗pH范围)及耐污染性能等。
膜分离透过性能反映了滤膜的适用范准还是空白。
反硝化菌以内碳源和甲醇或 VFAs 类为碳源时的反硝化速率分别为 17～48 、120～900mg/(g·d)。因反硝化不彻底而残余的硝酸盐随外回流污泥进入厌氧区，反硝化菌将优先于 PAOs 利用环境中的有机物进行反硝化脱氮，干扰厌氧释磷的正常进行，终影响系统对磷的去除。
一般， 当厌氧区的 NO3-N 的质量浓度>1.0 mg/L 时，会对 PAOs 释磷产生抑制，当其达到 3～4mg/L 时，PAOs 的释磷行为几乎完全被抑制，释磷(PO4 3--P)速率降 至 2.4 mg/(g·d)。
按照回流位置的不同，溶解氧(DO)残余干扰主要包括：
1)从分子态氧(O2)和硝酸盐(NO3-N) 作为电子受体的氧化产能数据分析，以 O2作为电子受体的产能约为 NO3-N 的 1.5 倍，因此当系统中同时存在 O2 和 NO3-N 时，反硝化菌及普通异养菌将优先以 O2为电子受体进行产能代谢。
2)氧的存在破坏了 PAOs 释磷所需的“厌氧压抑”环境，致使厌氧菌以 O2为终电子受体而抑制其发酵产酸作用，妨碍磷的正常释放，同时也将导致好氧异养菌与 PAOs 进行碳源竞争。
一般厌氧区的 DO 的质量浓度应严格控制在 0.2 mg/L 以下。从某种意义上来说硝酸盐及 DO残余干扰释磷或反硝化过程归根还是功能菌对碳源的竞争问题。
传统A2O工艺改进策略分析
01 基于 SRT 矛盾的复合式
A2/O工艺在传统A2/O工艺的好氧区投加浮动载体填料， 使载体表面附着生长自养硝化菌，而 PAOs和反硝化菌则处于悬浮生长状态，这样附着态的自养硝化菌的 SRT 相对独立，其硝化速率受短 SRT排泥的影响较小，甚至在一定程度上得到强化。
悬浮污泥 SRT、填料投配比及投配位置的选择不仅要考虑硝化的增强程度，还要考虑悬浮态污泥含量降低对系统反硝化和除磷的负面影响。
载体填料的投配并不意味可大幅度增加系统排泥量，缩短悬浮污泥 SRT 以提高系统除磷效率;相反，SRT 的缩短可能降低悬浮态污泥(MLSS)含量，从而影响 系统的反硝化效果，甚至造成除磷效果恶化。
研究表明，当悬浮污泥 SRT 控制为 5 d 时，复合式A2/O工艺的硝化效果与传统A2/O工艺相比，两者的硝化效果无明显差异，复合式A2/O工艺的载 体填料不能完全独立地发挥其硝化性能;若再降低悬浮污泥 SRT则因系统悬浮污泥含量的降低致使 硝酸盐积累，影响厌氧磷的正常释放。
02 基于“碳源竞争”角度的工艺
解决传统A2/O工艺碳源竞争及其硝酸盐和 DO 残余干扰释磷或反硝化的问题，主要集中在 3 方面：
针对碳源竞争采取的解决策略，如补充外碳源、反硝化和释磷 重新分配碳源(如倒置A2/O工艺)等;
解决硝酸盐干扰释磷提出的工艺改革，如 JHB、UCT、MUCT 等工艺;
针对 DO 残余干扰释磷、反硝化的问题， 可在好氧区末端增设适当容积的“非曝气区”。